教員情報 - 池田　晃裕 | 崇城大学

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著書・論文歴

主要学科目

研究課題・受託研究・科研費

メールアドレス

現在の専門分野

科研費研究者番号

担当経験のある科目

産官学連携シーズ情報

（最終更新日：2018-12-06 14:50:15）

  イケダ　アキヒロ   Ikeda Akihiro
  池田　晃裕
   所属   崇城大学情報学部情報学科

崇城大学大学院工学研究科応用情報学専攻（博士前期課程）

崇城大学大学院工学研究科応用情報学専攻（博士後期課程）

職種准教授

■ 著書・論文歴

1.	2013/06	論文	Phosphorus Doping into 4H-SiC by Irradiation of Excimer Laser in Phosphoric Solution （共著）
2.	2014/05	論文	Aluminum doping of 4H-SiC by irradiation of excimer laser in aluminum chloride solution （共著）
3.	2015/01	論文	Nitrogen doping of 4H-SiC by KrF excimer laser irradiation in liquid nitrogen （共著）
4.	2016/02	論文	Al doping of 4H-SiC by laser irradiation to coated Al film and its application to junction barrier Schottky diode （共著）
5.	2016/06	論文	Enhanced oxidation of Si using low-temperature oxidation catalyst SrTi1− x Mg x O3−δ （共著）
6.	2017	論文	Increased doping depth of Al in wet-chemical laser doping of 4H-SiC by expanding laser pulse （共著）
7.	2017/05	論文	Enhanced Low-Temperature Oxidation of 4H-SiC Using SrTi1-xMgxO3-δ （共著）
8.	2018/03	論文	Evaluation of effective length of the enhanced oxidation of active oxygen produced using SrTi x Mg1− x O3−δ catalyst for low-temperature oxidation （共著）
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■ 学会発表

1.	2016/06	Increased Doping Depth of Al in Wet- chemical Laser Doping of 4H-SiC by Expanding Laser Pulse（th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces and International SiGe Technology and Device Meeting 2016）
2.	2016/09	Enhanced Oxidation of 4H-SiC Using Sr Ti1-x Mgx O3-δ Catalyst（ECSCRM 2017）
3.	2017/09	Improved doping performance of laser Al doping in 4H-SiC by substrate heating（ICSCRM 2017）

■ 学歴

1.	1990/04～1994/03	九州大学工学部電子工学科卒業
2.	1994/04～1996/03	九州大学システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻修士課程修了
3.	1996/04～1999/03	九州大学システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻博士課程修了博士（工学）

■ 職歴

1.	1999/04～2018/03	九州大学システム情報科学研究院助教
2.	2018/04～	崇城大学情報学部情報学科准教授
3.	2018/04～	崇城大学大学院工学研究科応用情報学専攻（博士前期課程）担当教員
4.	2018/04～	崇城大学大学院工学研究科応用情報学専攻（博士後期課程）担当教員

■ 主要学科目

電子デバイス工学

■ 所属学会

1.		応用物理学会
2.		電子情報通信学会

■ 授業科目

1.	LSIシステム特論
2.	基礎電気数学B
3.	情報通信実験
4.	電子デバイス工学

■ 研究課題・受託研究・科研費

1.	2017/04～2020/03	液中レーザドーピングにおけるSiC表面温度のその場計測と不純物プロファイル制御基盤研究（C)
2.	2014/04～2017/03	ドーピング時の発光測定を用いたSiCへのウエットケミカルレーザドープの機構解明基盤研究（C)
3.	2013/04～2016/03	ウェットレーザプロセッシングにおける超高速ドーピング機構の研究基盤研究（B)
4.	2009/04～2012/03	ポリイミドへの直接無電解めっき法を用いた高速FPCの作製と評価若手研究（B)
5.	2005/04～2008/03	バンプレス接続によるチップオンフイルムとフイルム折曲げによる3D-SiPの作製若手研究（B)
6.	2002/04～2005/03	異方性ウエットエッチングを用いた溝型ゲートMOSトランジスタの作製若手研究（B)
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■ メールアドレス

kyoin_mail

■ 現在の専門分野

電子デバイス・電子機器　（キーワード：SiC，レーザードーピング，触媒酸化）

■ 取得特許

1.	2016/04/11	不純物導入方法及び半導体素子の製造方法（2016-51737）
2.	2016/09/01	不純物導入装置、不純物導入方法及び半導体素子の製造方法（2016-157911）
3.	2016/09/29	レーザドーピング装置及びレーザドーピング方法（WO2016151723 A1）

■ 科研費研究者番号

60315124

■ 担当経験のある科目

1.	電気情報工学実験２（九州大学，工学部，電気情報工学科）
2.	電磁気学（九州大学，工学部，エネルギー科学科）
3.	物理（日韓共同理工系学部留学生予備教育）（九州大学，理工系学部）

■ 産官学連携シーズ情報

1.	分野：情報通信・電気電子レーザーを用いたSiC，及びSiへの局所不純物ドーピングの研究～パワーデバイスの高性能化，低コスト化を目指して～レーザードーピング，局所過熱，低コスト，SiC，パワーデバイス