教員情報 - 池田　晃裕

1.	2019/07	論文	Increasing Laser-Doping Depth of Al in 4H-SiC by Using Expanded-Pulse Excimer Laser Materials Science Forum 963,pp.412-415 （共著）
2.	2019/07	論文	High-Concentration, Low-Temperature, and Low-Cost Excimer Laser Doping for 4H-SiC Power Device Fabrication Materials Science Forum 963,pp.403-406 （共著）
3.	2019/06	論文	Formation of low resistance contacts to p-type 4H-SiC using laser doping with an Al thin-film dopant source JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 （共著）
4.	2018/04	論文	Evaluation of effective length of the enhanced oxidation of active oxygen produced using SrTixMg1-xO3-delta catalyst for low-temperature oxidation JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57(4) （共著）
5.	2018	論文	Room-temperature Hermetic Packaging Using Ultrasonic Cu-Cu Bonding with Compliant Rim SENSORS AND MATERIALS 30(12),pp.2897-2903 （共著）
6.	2017/11	論文	Increased doping depth of Al in wet-chemical laser doping of 4H-SiC by expanding laser pulse MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 70,pp.193-196 （共著）
7.	2017/05	論文	Enhanced Low-Temperature Oxidation of 4H-SiC Using SrTi1-xMgxO3-δ Materials Science Forum 897,pp.356-359 （共著）
8.	2016/06	論文	Enhanced oxidation of Si using low-temperature oxidation catalyst SrTi1− x Mg x O3−δ Jpn. J. Appl. Phys. 55,pp.06GJ05-1-06GJ05-5 （共著）
9.	2016/02	論文	Al doping of 4H-SiC by laser irradiation to coated Al film and its application to junction barrier Schottky diode Jpn. J. Appl. Phys. 55(4) （共著）
10.	2016	論文	Low temperature oxidation of 4H-SiC using oxidation catalyst Sr Ti1-x Mgx O3-δ Jpn. J. Appl. Phys., 55,pp.108001-1-108001-3 （共著）
11.	2016	論文	Al Doping from Laser Irradiated Al Film Deposited on 4H-SiC Materials Science Forum 858,pp.527-530 （共著）
12.	2015/01	論文	Nitrogen doping of 4H-SiC by KrF excimer laser irradiation in liquid nitrogen Jpn. J. Appl. Phys. 54(4) （共著）
13.	2014/05	論文	Aluminum doping of 4H-SiC by irradiation of excimer laser in aluminum chloride solution Jpn. J. Appl. Phys. 53(6) （共著）
14.	2013/06	論文	Phosphorus Doping into 4H-SiC by Irradiation of Excimer Laser in Phosphoric Solution Jpn J Appl Phys 52(6),pp.06GF02-06GF02-4 （共著）
15.	2013	論文	Development of a Portable Taste Sensor with a Lipid/Polymer Membrane, Sensors 13,pp.1076-1084 （共著）
16.	2013	論文	Development of New Oxygen Sensor by Microfabrication of Single-Crystal CuFeTe2 Thin Films Sensors and Materials 25,pp.471-477 （共著）
17.	2013	論文	Effect of Coating Self-Assembled Monolayer on Room-Temperature Bonding of Cu Micro-Interconnects Jpn. J. Appl. Phys., 52,pp.068004-1-068004-3 （共著）
18.	2013	論文	Phosphorus doping of 4H SiC by liquid immersion excimer laser irradiation Applied Physics Letters 102,pp.052104-1-052104-4 （共著）
19.	2013	論文	Room-Temperature Cu Microjoining with Ultrasonic Bonding of Cone-Shaped Bump Jpn. J. Appl. Phys., 52,pp.04CB10-1-04CB10-5 （共著）
20.	2012	論文	自己組織化単分子膜を用いた銅とはんだのフラックスレス接合の研究電子情報通信学会誌C J95-C,304-311頁（共著）
21.	2012	論文	Room-Temperature Microjoining of LSI Chips on Poly(ethylene naphthalate) Film Using Mechanical Caulking of Au Cone Bump Jpn. J. Appl. Phys. 51,pp.04DB04-1-04DB04-4 （共著）
22.	2011	論文	Development and Evaluation of a Miniaturized Taste Sensor Chip Sensors 11,pp.9878-9886 （共著）
23.	2011	論文	Microjoining of LSI Chips on Poly(ethylene naphthalate) Using Compliant Bump Jpn. J. Appl. Phys. 50,pp.06GM05-1-06GM05-4 （共著）
24.	2010	論文	Effect of Argon/Hydrogen Plasma Cleaning on Electroless Ni Deposition on Small-Area Al Pads Jpn. J. Appl. Phys. 49,pp.08JA05-1-08JA05-4 （共著）
25.	2009	論文	Electroless Ni-B plating on SiO2 with 3-aminopropyl- triethoxysilane as a barrier layer against Cu diffusion for through-Si via interconnections in a 3-dimensional multi-chip package Thin Solid Films 517,pp.1740-1745 （共著）
26.	2007	論文	Uniformity of an Electroless Plated Ni on a Pad Connected to Different Size Pads or a Pn Junction for Under Bump Metallurgy in a Flip-Chip Assembly IEEE Trans . Comp. Packag. Technol. 30,pp.494-499 （共著）
27.	2005	論文	チップスタック型マルチチップ実装におけるMOSFETの移動度の変動について電子情報通信学会誌C J88-C,866-873頁（共著）
28.	2003	論文	Trap assisted leakage current conduction in thin silicon oxynitride films grown by rapid thermal oxidation combined microwave excited plasma nitridation Microelectronic Engineering 65,pp.357-370 （共著）
29.	2003	論文	Effects of post annealing on removal of defect states in silicon oxynitride films grown by oxidation of silicon substrates nitrided in inductively coupled nitrogen plasma Thin Solid Films 423,pp.212-217 （共著）
30.	2001	論文	Oxynitridation of silicon with nitrogen plasma for flash memory applications characterized by high frequency capacitance- voltage measurements Thin Solid Films 385,pp.215-219 （共著）
31.	2001	論文	Inductively coupled plasma application to the resist ashing Thin Solid Films 386,pp.160-164 （共著）
32.	2001	論文	Effect of nitrogen plasma conditions on electrical properties of silicon oxynitrided thin films for flash memory applications Thin Solid Films 386,pp.111-116 （共著）
33.	1999	論文	Electronic Properties of MOS Capacitor Exposed to Inductively Coupled Hydrogen Plasma Thin Solid Films 345,pp.172-177 （共著）
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■ 学会発表

1.	2021/12/14	Evaluation of Temperature at SiC Surface During Pulsed Excimer Laser Irradiation（9th International Japan-Africa Conference on Electronics, Communications, and Computations (JAC-ECC)）
2.	2019/10	Room Temperature Processing of Low Resistance Contacts to p-type 4H-SiC using Laser Doping（International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019）
3.	2017/09	Improved doping performance of laser Al doping in 4H-SiC by substrate heating（ICSCRM 2017）
4.	2016/09	Enhanced Oxidation of 4H-SiC Using Sr Ti1-x Mgx O3-δ Catalyst（ECSCRM 2017）
5.	2016/06	Increased Doping Depth of Al in Wet- chemical Laser Doping of 4H-SiC by Expanding Laser Pulse（th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces and International SiGe Technology and Device Meeting 2016）

■ 学歴

1.	1990/04～1994/03	九州大学工学部電子工学科卒業
2.	1994/04～1996/03	九州大学システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻修士課程修了
3.	1996/04～1999/03	九州大学システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻博士課程修了博士（工学）

■ 職歴

1.	1999/04～2018/03	九州大学システム情報科学研究院助教
2.	2018/04～2022/03	崇城大学情報学部情報学科准教授
3.	2018/04～	崇城大学大学院工学研究科応用情報学専攻（博士前期課程）担当教員
4.	2018/04～2022/03	崇城大学大学院工学研究科応用情報学専攻（博士後期課程）担当教員

■ 主要学科目

電子デバイス工学

■ 所属学会

1.		応用物理学会
2.		電子情報通信学会

■ researchmap研究者コード

B000362285

■ 授業科目

1.	情報通信実験I
2.	情報通信実験II
3.	電子デバイス工学
4.	電子情報基礎実験I
5.	電子情報基礎実験II
6.	電磁気学II
7.	電磁気学III
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■ 研究課題・受託研究・科研費

1.	2021/07～2022/03	パルス大電流を用いた金属ペーストの急速焼結国内共同研究
2.	2017/04～2020/03	液中レーザドーピングにおけるSiC表面温度のその場計測と不純物プロファイル制御基盤研究（C)
3.	2014/04～2017/03	ドーピング時の発光測定を用いたSiCへのウエットケミカルレーザドープの機構解明基盤研究（C)
4.	2013/04～2016/03	ウェットレーザプロセッシングにおける超高速ドーピング機構の研究基盤研究（B)
5.	2009/04～2012/03	ポリイミドへの直接無電解めっき法を用いた高速FPCの作製と評価若手研究（B)
6.	2005/04～2008/03	バンプレス接続によるチップオンフイルムとフイルム折曲げによる3D-SiPの作製若手研究（B)
7.	2002/04～2005/03	異方性ウエットエッチングを用いた溝型ゲートMOSトランジスタの作製若手研究（B)
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■ メールアドレス

■ 現在の専門分野

電子デバイス、電子機器　（キーワード：SiC，レーザードーピング，触媒酸化）

■ 取得特許

1.	2016/04/11	不純物導入方法及び半導体素子の製造方法（2016-51737）
2.	2016/09/01	不純物導入装置、不純物導入方法及び半導体素子の製造方法（2016-157911）
3.	2016/09/29	レーザドーピング装置及びレーザドーピング方法（WO2016151723 A1）

■ 科研費研究者番号

60315124

■ 産官学連携シーズ情報

1.	分野：情報通信・電気電子レーザーを用いたSiC，及びSiへの局所不純物ドーピングの研究～パワーデバイスの高性能化，低コスト化を目指して～レーザードーピング，局所過熱，低コスト，SiC，パワーデバイス