教員情報 - 池田　晃裕

イケダ　アキヒロ Ikeda Akihiro
池田　晃裕

所属情報学部情報学科

職種教授

学会発表
1.	2025/09/07	粉体ターゲットプロセスによるFe, Mo傾斜機能性膜の作製 (2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会)
2.	2025/06/12	Characteristics of single-phase gliding arc equipment with twisted electrodes and radial gas injection (XI International Symposium on Electrohydrodynamics (ISEHD2025))
3.	2025/01/23	大気圧グライディングアーク放電装置におけるねじれ電極の効果 (電気学会　放電・プラズマ・パルスパワー・高電圧研究会)
4.	2024/12/17	異なるAZO粉体ターゲット混合法によるAZO薄膜特性の比較研究 (第34回日本MRS年次大会)
5.	2024/09/10	CO2レーザドーピングにより作製したSiC pnダイオードの特性評価 (2024年度電子情報通信学会ソサイエティ大会)
6.	2023/09/06	プラズマ改質時間がテフロンの親水性に与える影響の評価 (電子情報通信学会九州支部　2023年度学生会講演会)
7.	2022/05/26	Ohmic Contact Formation on 4H-SiC by CO2 Laser Annealing of Metal Film on the 4H-SiC (10th International Conference Electromagnetic Devices and Processes in Environment Protection ELMECO-10)
8.	2021/12/14	Evaluation of Temperature at SiC Surface During Pulsed Excimer Laser Irradiation (9th International Japan-Africa Conference on Electronics, Communications, and Computations (JAC-ECC))
9.	2019/10	Room Temperature Processing of Low Resistance Contacts to p-type 4H-SiC using Laser Doping (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019)
10.	2017/09	Improved doping performance of laser Al doping in 4H-SiC by substrate heating (ICSCRM 2017)
11.	2016/09	Enhanced Oxidation of 4H-SiC Using Sr Ti1-x Mgx O3-δ Catalyst (ECSCRM 2017)
12.	2016/06	Increased Doping Depth of Al in Wet- chemical Laser Doping of 4H-SiC by Expanding Laser Pulse (th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces and International SiGe Technology and Device Meeting 2016)