イケダ アキヒロ   Ikeda Akihiro
  池田 晃裕
   所属   崇城大学  情報学部 情報学科
   崇城大学大学院  工学研究科 応用情報学専攻(博士前期課程)
   崇城大学大学院  工学研究科 応用情報学専攻(博士後期課程)
   職種   教授
分野情報通信・電気電子
タイトルレーザーを用いたSiC,及びSiへの局所不純物ドーピングの研究
シーズ名~パワーデバイスの高性能化,低コスト化を目指して~
キーワードレーザードーピング,局所過熱,低コスト,SiC,パワーデバイス
研究シーズ概要不純物を含有した水溶液中にSiCを浸漬して、あるいはSiCの表面に不純物を含有した薄膜を付けてレーザーを照射することで不純物をSiCに注入(pn接合を形成)する研究を行っています。これまでの不純物イオン注入と活性化プロセス(~1700 ℃)に比べて、低温、かつ極短時間(数10 ns)プロセスであるためSiCの分解(SiとCに)が抑えられることが特徴です。その結果、従来よりも高性能のSiCパワーデバイスが実現できます。また、従来のイオン注入法では、注入エネルギーを変えて5回の打ち込みが必要ですが、レーザードーピング法では1回で所望の不純物導入プロファイルが形成できます。レーザードーピング法は、SiCデバイスの低コスト化と高品質化が可能であり、SiCデバイスの普及に貢献できる技術です。
利点・特長・成果従来のSiCデバイスの製造コストを大幅に低減できます。イオン注入法では所望とする不純物プロファイルを得るために、不純物イオンの加速エネルギーと注入量を変えて5回の注入が必要です。その為、デバイスの製造時間が非常に長くなり、この工程が原因で価格が高価になっています。これが、Siに代わってSiCが普及する大きな障壁となっていますが、レーザードーピング法は、1回のレーザー照射で不純物の注入ができるため[1、2]、製造コストを格段に引き下げることが可能です。
【特  許】(いずれも権利者は,(株)富士電機,及び九州大学です。)
■特開2016-157911,不純物導入装置、不純物導入方法及び半導体素子の製造方法
■特開2016-51737,不純物導入方法及び半導体素子の製造方法
その他の研究-
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